LED材料

阴极发光探测发光特性

使用阴极发光(Cathodoluminescence)在小长度尺度上成像半导体材料的局部缺陷和发光特性。这是一种强大的非接触式方法,既可以研究大块LED材料,也可以研究用于照明、显示技术、光子学、检查/光谱学和病原体的小型LED器件。

阅读应用说明
我们能帮助您什么
  • 深入了解(光学)特性
  • 研究局部几何形状和内部材料结构
  • 获取定量可比数据
  • 表征从深紫外线到红外线的LED
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氮化镓(GaN)的深入表征

氮化镓(GaN)是一种通用的宽带隙半导体材料,通常用于包括照明和显示器的LED、激光二极管和高性能电子产品在内的各种应用中。阴极发光成像和光谱学已广泛用于GaN材料和器件中。高能电子束能

够以亚波长的空间分辨率有效激发GaN的宽带隙(3.4 eV),并用于在小长度范围内成像位错等局部缺陷和探测发光特性。

阴极发光能帮您完成什么?

光谱可用于例如生长优化,失效/缺陷分析以及检查光学响应中的(局部)均匀性。这适用于各种会发出从深UV到红外光谱范围的光的材料,比如(Al,In)GaN,ZnO,钙钛矿InP / GaAs等各种不同的半导体材料。

 

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图像滑块: 显示高光谱假色RGB CL和相应的SE图像。该图显示了InGaN微棒LED结构的顶部。示例由J.Dühn和C. Tessarek(不来梅大学,MPI Erlangen)提供。另请参见J.Dühn等。物理D:应用物理51,355102(2018)。

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Delmic 的阴极发光解决方案由功能强大且用户友好的阴极发光检测器组成,可以帮助您了解有关块状和纳米结构材料的更多信息。

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